La 3D NAND s'impose dans la production de flash

Les composants 3D NAND représenteront plus de la moitié de la production de mémoire flash cette année

L’offre de mémoire flash 3D NAND restera tendue, d’autant qu’Apple mobilise une bonne partie de la demande pour équiper son prochain iPhone. (crédit Micron)

Selon un rapport de DRAMeXchange, la mémoire 3D NAND, cette mémoire constituée d’un empilement couche par couche de cellules flash qui ressemble à un gratte-ciel à l’échelle microscopique, sera la technologie flash la plus demandée cette année. Selon les dernières prévisions de la division de TrendForce qui suit au jour le jour l’évolution du marché de la mémoire, les fabricants de mémoire flash NAND ont entrepris de transformer leurs usines pour fabriquer de la flash 3D NAND, plus dense, plus rapide et plus intéressante à produire que la mémoire 2D NAND traditionnelle.

 

La dernière version de la technologie 3D BiCS (Bit Cost Scaling) d’empilement vertical mise au point par WD et Toshiba pour fabriquer des SSD et d’autres produits flash NAND peut stocker trois bits de données par cellule sur une hauteur de 64 couches. (Crédit : Toshiba)

Toujours selon le rapport de DRAMeXchange, après Samsung et Micron, premières entreprises à s’être lancées dans la mémoire 3D NAND, la plupart des fabricants de mémoire flash NAND démarreront leur production en masse de puces 3D NAND 64 couches au second semestre 2017. Plus tôt cette année, Western Digital (WD) et Toshiba ont lancé en partenariat la fabrication d’un produit flash NAND 64 couches. C’est le plus dense de l’industrie, puisqu’il peut stocker trois bits de données par cellule. La technologie par empilement utilisée par WD et Toshiba pour leurs puces flash 3D NAND a été appelée BiCS (Bit Cost Scaling). La production pilote de la première puce 3D NAND 512 Gigabits (Gb) de WD basée sur la technologie flash NAND à 64 couches est déjà en route. « Les premiers échantillons de la puce 64 couches de WD seront disponibles d’ici la fin du mois de mai. Une production en série devrait intervenir au second semestre de cette année, dans le meilleur des cas », indique encore le rapport.

 

Intel transforme aussi son usine de Dalian, en Chine, pour produire des puces flash 3D NAND. (Crédit : Intel)

Cette production en nombre de mémoire 3D NAND devrait se traduire par une baisse du coût de la mémoire non volatile pour les centres de données et les postes de travail. « Cependant, malgré l’augmentation de cette production, l’offre globale de mémoire flash NAND devrait rester tendue tout au long de l’année en raison de la forte demande exercée par Apple pour assurer la production de la prochaine version de l’iPhone et du fait d’une demande toujours élevée de la part des fabricants de SSD », a déclaré DRAMeXchange.

Aujourd’hui, la mémoire 3D NAND représente plus de la moitié de la production de mémoire flash NAND par Samsung et Micron. SK Hynix se prépare également à lancer des puces NAND à 72 couches. « Le fabricant, qui espère rivaliser avec les leaders de l’industrie, lancera sa production en série de puces à 72 couches au second semestre de cette année », a déclaré DRAMeXchange. « Dans cette course technologique à la 3D NAND, Samsung possède toujours une certaine avance sur ses concurrents », a aussi déclaré la division de TrendForce. Ses puces 48 couches sont largement utilisées pour produire des SSD pour le grand public et les entreprises, ainsi que des produits mobiles NAND.

 

Un modèle de puce flash 3D NAND fabriquée par Micron pour les appareils mobiles. (Crédit : Micron)

Samsung a achevé l’installation de sa nouvelle usine de Pyeontaek en Corée du Sud et devrait commencer à produire des puces flash 64 couches dès le mois juillet. Micron, second fournisseur de mémoire flash 3D NAND après Samsung, a également basculé plus de 50 % de sa production dans la fabrication de mémoire 3D NAND. Un nombre important de gros fabricants de modules mémoire utilisent ses puces 32 couches et Micron fabrique lui-même des SSD vendus sous sa marque.

 

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